Mitsubishi Electric начнет пробный выпуск GaN-HEMT-транзисторов с выходной мощностью 220 Вт для базовых приемопередающих станций

06.09.2016 Прочитать: PDF

Mitsubishi Electric начнет пробный выпуск GaN-HEMT-транзисторов с выходной мощностью 220 Вт для базовых приемопередающих станций

БППС с новыми транзисторами: компактные размеры и низкое энергопотребление при высокой производительности

Москва, 05 сентября 2016 г. – Корпорация Mitsubishi Electric объявила о создании нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов (GaN-HEMT) и выходной мощностью 220 Вт, который сможет обеспечить самый высокий в мире КПД базовых приемопередающих станций (БППС)*, применяемых в системах мобильной связи четвертого поколения (4G) и работающих на частоте 2,6 ГГц. Пробный выпуск транзисторов начнется с 1 ноября 2016 года.

* Согласно данным Mitsubishi Electric по состоянию на 31 августа 2016 года.

Новый GaN-HEMT-транзистор для БППС 4G, работающих на частоте 2,6 ГГц (MGFS53G27ET1)

Новый GaN-HEMT-транзистор для БППС 4G, работающих на частоте 2,6 ГГц (MGFS53G27ET1)

В высокоскоростных системах мобильной связи 4G, включая сети стандартаLTE (Long Term Evolution) и LTE-Advanced, применяемые в макросотах БППС становятся все компактнее, но при этом растет их информационная емкость и снижается энергопотребление. Ожидается, что новые высокоэффективные GaN-HEMT-транзисторы от Mitsubishi Electric, предназначенные для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, будут способствовать дальнейшему уменьшению как габаритов этих устройств, так и их мощности.

Характеристики продукта

1)Высочайшая эффективность транзистора и его оптимизация

-Высокий КПД стока** – 74% – достигается благодаря применению более простой системы охлаждения, позволяющей уменьшить размеры БППС и ее энергопотребление.

2)Более компактные размеры

-Бесфланцевый керамический корпус уменьшает размер самого устройства и связанных с ним усилителей мощности.

3)Расширенный модельный ряд GaN-HEMT-транзисторов

-Для моделей мощностью 220 Вт, которые предназначены для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, добавлен вариант исполнения в бесфланцевом керамическом корпусе.

** Измерение проводилось с использованием нагрузочного резистора.


Применение

Модель

Частота [ГГц]

Радиочастотные характеристики

Рабочее напряжение Vd*** [В]

Выходная мощность в режиме насыщения

Линейный коэффициент усиления [дБ]

КПД стока** [%]

[дБм]

[Вт]

БППС для макросот

MGFS53G27ET1

От 2,5 до 2,7

53,4

220

18

74

50

MGFS53G38ET1

От 3,4 до 3,8

52,6

180

17

70

50

MGFS50G38FT1

50,0

100

17

74

MGFS50G38ET1

49,5

90

17

74

БППС для малых сот

MGFS39G38L2

39,5

9

20

67

MGFS38G38L2

38,4

7

20

67

MGFS37G38L2

37,0

5

20

67


В дальнейшем модельный ряд будет дополнен транзисторами, предназначенными для других выходных мощностей и частот и адаптированными под системы мобильной связи следующих поколений.
Данный продукт удовлетворяет требованиям Директивы 2011/65/EU по ограничению использования опасных и вредных веществ в электрооборудовании и электронном оборудовании (RoHS).


Возврат к списку