Mitsubishi Electric расширяет линейку HVIGBT-модулей X-серии

13.04.2017 Прочитать: PDF

Mitsubishi Electric расширяет линейку HVIGBT-модулей X-серии

Восемь новых продуктов для высоковольтного сильноточного оборудования увеличат производительность и уменьшат размеры инверторов

Москва, 13 апреля 2017 г. – Корпорация Mitsubishi Electric объявила о предстоящем выпуске восьми новых HVIGBT-модулей X-серии. С их помощью можно увеличить производительность и уменьшить размеры инверторов, применяемых в высоковольтном сильноточном оборудовании, включая тяговые двигатели, преобразователи постоянного тока и промышленную технику. Модули будут представлены в трех классах напряжения – 3,3 кВ, 4,5 кВ и 6,5 кВ.

Корпорация представит новые HVIGBT-модули на выставке прецизионных электромоторов и электротехнических устройств MOTORTECH JAPAN (19-21 апреля, Тиба, Япония), на международных выставках систем преобразования энергии PCIM Europe (16-18 мая, Нюрнберг, Германия) и PCIM Asia (27-29 мая, Шанхай, Китай). Поочередный запуск модулей начнется в сентябре 2017 года.

HVIGBT-модуль X-серии
HVIGBT-модуль X-серии

Сверхмощные модули от Mitsubishi Electric особенно востребованы на рынке энергетических систем, где требуется высокая производительность, надежность и максимальная эффективность. Первый HVIGBT-модуль от Mitsubishi Electric, выпущенный в 1997 году, позволил разработать более мощные и компактные высоковольтные преобразовательные системы. HVIGBT-модуль X-серии (6,5 кВ / 1000 A), выпущенный в 2015 году, предназначен для инверторных систем и оснащен биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT) седьмого поколения и диодом с мягкой характеристикой восстановления (далее – RFC).

 

Основные характеристики

1)  Улучшенные показатели нагрузочной способности по мощности повышают производительность инверторов.

  • Начиная с сентября 2017 года в продажу поступят три модуля на 3,3 кВ (один модуль с максимальным номинальным током 1200 A и два модуля мощностью 1800 A), три модуля на 4,5 кВ (900 A, 1350 A и 1500 A) и два модуля на 6,5 кВ (600 A и 900 A).
  • К модулю на 6,5 кВ (1000 А), который сегодня занимает лидирующие позиции среди своих аналогов, присоединились два модуля с лучшими показателями нагрузочной способности по мощности в отрасли – 1800 А в модуле на 3,3 кВ и 1500 А в модуле на 4,5 кВ.

2) IGBT-транзистор седьмого поколения и RFC-диод способствуют уменьшению размеров инверторов.

  • Благодаря применению CSTBT™*-чипов седьмого поколения и RFC-диодов, потери мощности в модулях уменьшились примерно на 20 % **.
  • Габаритные размеры модулей с новыми кристаллами на 33 % меньше, чем у предшествующего поколения при таком же номинальном напряжении и токе, что гарантирует создание более компактных инверторов.
  • Рабочая температура продукта составляет 150 °С, что позволяет использовать более простую систему охлаждения, уменьшив тем самым размеры инвертора и упростив его проектирование.

3) Оптимизированная структура корпуса для высоконадежных инверторов.

  • Новая внутренняя структура корпуса улучшает теплоотдачу, влагостойкость и огнестойкость модуля, что продлевает срок его службы.

 

Модельный ряд HVIGBT-модулей X-серии

Модель

Напряжение между коллектором и эмиттером

Максимальный номинальный ток

Напряжение изоляции (среднеквадратич.)

Размеры

CM1200HC-66X

3,3 кВ

1200 A

6 кВ

140 мм x 130 мм x 38 мм

CM1800HC-66X

1800 A

6 кВ

140 мм x 190 мм x 38 мм

CM1800HG-66X

1800 A

10 кВ

140 мм x 190 мм x 48 мм

CM900HG-90X

4,5 кВ

900 A

10 кВ

140 мм x 130 мм x 48 мм

CM1350HG-90X

1350 A

10 кВ

140 мм x 190 мм x 48 мм

CM1500HC-90XA

1500 A

6 кВ

140 мм x 190 мм x 38 мм

CM600HG-130X

6,5 кВ

600 A

10 кВ

140 мм x 130 мм x 48 мм

CM900HG-130X

900 A

10 кВ

140 мм x 190 мм x 48 мм


Визуальное сравнение новой и существующей моделей

Сравнение моделей HVIGBT-модуля X-серии CM1200HC-66X и Существующая модель HVIGBT-модуля H-серии CM1200HC-66H 26600 мм²

Новая модель HVIGBT-модуля X-серии CM1200HC-66X Существующая модель HVIGBT-модуля H-серии CM1200HC-66H 26600 мм²

* Разработанная Mitsubishi Electric конструкция IGBT-кристалла с так называемым эффектом аккумуляции носителей (carrier-store effect)
** Для модуля X-серии CM1200HC-66X по сравнению с модулем H-серии CM1200HC-66H


Возврат к списку