Модули HVIGBT/HVIPM

Модули HVIGBT/HVIPM

Линейка HVIGBT-модулей Mitsubishi на базе высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором предназначена для замены тиристоров, в том числе запираемых (GTO), используемых в системах силовой электроники высокомощного железнодорожного и промышленного оборудования, и обеспечивает миниатюризацию схем управления, повышенную компактность и экономичность.

Высоковольтный интеллектуальный силовой модуль (HVIPM) с встроенным драйвером для более эффективного использования возможностей IGBT-кристалла – это многофункциональное устройство со специальной микросхемой, обеспечивающей функции самозащиты (от сверхтоков, перегрева и падения напряжения на цепях управления). Модули HVIPM, максимальный номинал которых составляет 3,3 кВ/1,2 кA, способствуют дальнейшей миниатюризации, а также снижению энергопотребления инверторных устройств большой мощности. 

Особенности  

<Серия R>

  • Встроенный планарный IGBT
  • Встроенный диод с мягким восстановлением
  • Базовая плита на основе композиционного материала AlSiC
  • Высокая изоляция корпуса (напряжение изоляции Viso = 10,2 кВ переменного тока, время приложения 1 минута)
  • Расширенный диапазон рабочей температуры

<HVIPM>

  • Напряжение изоляции: 6000 В (время приложения переменного напряжения – 1 минута)
  • Базовая плита на основе композиционного материала AlSiC
  • Встроенная защита от сверхтоков, перегрева и падения напряжения на цепях управления
  • Разъем управления

Основное применение

Инверторы/преобразователи/прерыватели постоянного тока


Подробная техническая информация и список моделей на Глобальном сайте : подробнее